طراحی و شبیه سازی magfet با حساسیت بالا از نوع split drain بر پایه تکنولوژی cmos

پایان نامه
چکیده

سنسورهای مختلفی برای اندازه گیری میدان های مغناطیسی وجود دارد که از بین آنها سنسورهای sd-magfet بدلیل سازگاری با پروسه cmos وتوان مصرفی پایین گزینه مناسبی برای اندازه گیری میدان مغناطیسی هستند.هدف از این پایان نامه شناسایی و بهینه سازی پارامترهای تاثیرگذار در حساسیت sd-magfet به منظور رسیدن به حساسیت بالاتر برای sd-magfet است.بدین منظور از مدل پیوسته زاویه هال و فاکتور اصلاح هندسی gواثرات مقاومت مغناطیسی استفاده نموده وارتباط پارامترهای مختلف با حساسیت را بدست می آوریم. با استفاده از قواعد طراحی cmos 0.35µm وبوسیله نرم افزار شبیه سازی سه بعدی silvaco، sd-magfetهایی با کانال بلند،کوتاه و مربعی شکل و کانال بلند را شبیه سازی نموده و به این نتیجه رسیدیم که کانال های کوتاه حساسیت بیشتری را از خود نشان می دهد.موردی که بسیار قابل توجه بود ،این است که زمانی که فاصله بین دو درین sd-magfet افزایش می یابد و از درین های کوچک در ساختارsd-magfet استفاده می کنیم حساسیت به میزان چندین برابر افزایش می یابد. با استفاده از این ساختار می توانیم به سنسورهایی با حجم کوچک ،حساسیت بالا و توان مصرفی کم دست یابیم.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

مقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure

کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...

متن کامل

طراحی و شبیه سازی یک سیستم هاروستر پایزوالکتریک بر پایه تکنولوژی 0.18 میکرومتر cmos

طراحی و شبیه سازی مدار واسط الکترونیکی در سیستم هاروستر انرژی

Design of a new MagFET-based Integrated Current Sensor Robust to EMI

− This paper deals with the susceptibility to electromagnetic interference of CMOS integrated current sensors for power transistor current monitoring. Conventional integrated solution are first considered, hence a new integrated current sensor based on the Hall effect in a split-drain MOS transistors (MagFET) is proposed. The susceptibility to radio frequency interference of a conventional (wir...

متن کامل

طراحی و شبیه سازی یک میکسر تبدیل مستقیم با حذف ذاتی هارمونیک ها در تکنولوژی cmos

چکیده ندارد.

15 صفحه اول

طراحی و شبیه سازی فیلتر بیضوی با ترارسانا و خازن در تکنولوژی cmos

در این پایان نامه فیلتر بیضوی پایین گذر در تکنولوژی ?m cmos 18/0 طراحی و شبیه سازی خواهد شد. این فیلتر بر اساس ساختار ota-c می باشد و کاربرد آن در دستگاه موج نگاری مغز می باشد. پهنای باند این فیلتر چهار باند موج مغز را پوشش می دهد و در فرکانس hz50 که مربوط به برق شهر بوده و به صورت نویز روی سیگنال های مغز ظاهر می-شود تضعیفی نزدیک به db60 دارد. تقویت کننده عملیاتی ترارسانا در ناحیه زیر آستانه با...

15 صفحه اول

طراحی و شبیه سازی میکسر آنالوگ باند پهن با تکنولوژی 0.18um cmos

با رشد روز افزون ارتباطات بیسیم، سایز و قیمت سیستم های بیسیم کاهش پیدا کرده است. طراحی برای ولتاژ های کم و توان مصرفی پایین و همچنین قابلیت مجتمع شدن از ملاحظات مهم طراحی سیستم های rf می باشد. میکسر ها تقریباً در هر سیستم گیرنده rf استفاده می شوند. یکی از میکسر-هایی که کاربرد فراوانی دارد، میکسر گیلبرت است. میکسر های فعال با ساختار میکسر گیلبرت عدد نویز بالایی دارند و بر عدد نویز کلی گیرنده تاثی...

15 صفحه اول

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده برق و الکترونیک

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023